Мультиметр тестер полупроводников ESR LCR большой LCD ЖК LCR-T7

ЖК экран 160х128 цветной

Автоматическая идентификация радиоэлектронных компонентов (резистор, конденсатор, катушка индуктивности, диод, двойной диод, биполярный NPN, PNP транзистор, N- канальный и Р- канальный MOS FET, JFET транзистор, маломощный тиристор, симистор.
 
Измерение сопротивления, емкости, индуктивности, прямого напряжения перехода в диодах и биполярных транзисторах, емкости и порогового напряжения затвора в полевых транзисторах, обнаружение защитных диодов в транзисторах.
 
Поставляется без корпуса (КІТ).
 
Разряжайте конденсаторы до тестирования!
    
Технические характеристики тестера полупроводников и измерителя RLC, ESR.
 
Измеритель индуктивности
 
1. Тест полупроводников, конденсаторов, резисторов, индуктивностей производится за одну операцию – нажатием кнопки.  Автоматическое выключение после теста.
 
2. Потребляемый ток после отключения не более 20nA .
 
3. Диапазон измерения резисторов составляет от 0,1 Ом до 50M Ом с точностью 1%.
 
4. Диапазон измерения емкости составляет от  25рF до 100mF и точностью 1%.
 
5.  Диапазон измерения индутивности составляет от 0,01mН до 20H и точностью 1%.
 
Тестер транзисторов
   
6. Автоматическое определение NPN, PNP биполярных транзисторов , N -канальных и Р- канальных MOS FET, JFET транзисторов , диодов, двойных диодов, тиристоров небольшой мощности, однонаправленных и двунаправленных тиристоров.
 
7. Автоматическое определение цоколевки полупроводников.
 
8. Измерение в биполярных транзисторах  коэффициента усиления и порогового напряжения  база – эмиттер.
 
9. Обнаружение защитных диодов в биполярных и MOS FET транзисторах.
 
Мультитестер полупроводников
   
10. Идентификация транзисторов Дарлингтона.
 
11. Измерение порогового напряжения и емкости затвора в MOS FET транзисторах.
 
12. Измерение ESR конденсатора с разрешением 0,01 Ом.
 
ESR измеритель
   
13. Измерение двойных резисторов (потенциометров)  с отображение на дисплее символов резистора.
 
14. Отображение символов двойных диодов с измерением прямого напряжение каждого перехода.
 
15. Определение комбинированных светодиодов.
 
16. Определение напряжения пробоя в стабилитронах с напряжением  не более 4.5V.

Язык прошивки: английский и китайский