Транзистор 30F131 IGBT 360V 200A

Біполярний транзистор з ізольованим закривом (IGBT) і захисним діодом, n-канальний, моделі 30F131 від виробника Toshiba в корпусі TO-263-2.

30F131 — це n-канальний біполярний транзистор з ізольованим закривом (IGBT). Транзистор здебільшого застосовується в плазмових панелях. Транзистор розрахований на напругу пробою 360 В і імпульсний струм затвора до 200 А. Напруга колектор-еміттер 1,9 В за струму 120 А.
Ціна вказана за одиницю товару. Купуючи чималі відмінності (для кожного чипа індивідуально), можете вказати в коментарях до замовлення "Перекладіть знижку". Менеджер зв'яжеться з Вами телефоном для узгодження ціни.
Примітка: ми не несемо відповідальності за працездатність мікросхеми в проєктах і схемах, розроблених і зібраних самим користувачем або третіми особами. Працездатність може гарантуватися тільки в проєктах і схемах, розроблених виробниками електроніки. Покупець має сам оцінити свою компенсацію під час створення проєкту. У разі сумнівів у якості виготовлення мікросхеми виробником, рекомендуємо спочатку купувати пробну партію в поодиноких кількостях. Водночас ми можемо зарезервувати для Вас необхідні кількості на термін до 7 днів, щоб вони були саме з цієї партії.

Характеристики:

модель: 30F131;
виробник: Toshiba;
корпус: TO-263-2;
напруга пробою: 360 В;
максимальна напруга колектор-емітер: 300 В;
максимальний струм колектор-емітер: 200 А;
напруга насичення за номінального струму: 1,9 В;
потужність: 140 Вт;
робоча температура: -50 – 150°C