IRF9630PBF, Транзистор, P-канал 200В 6.5 А TO-220AB

The IRF9630PBF is a -200V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, third generation HEXFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Easy to parallel
• Simple drive вимога

Структура p-канал
Максимальна напруга стік-витік Uсв,В -200
Максимальний струм стік-витік при 25 С Ісв макс..А -6.5
Максимальна напруга затвор-витік Uзв макс.,В ±20
Опір каналу у відкритому стані Rсв вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.8 Ом при-3.9 a, -10в
Максимальна потужність, що розсіюється Рсв макс Вт  75
Крутизна характеристики S 2.2
Корпус to220ab
Порогова напруга на затворі -4
Вага, г 2.5